[发明专利]一种基于侧向光伏效应的薄膜结构位置灵敏探测器

摘要

本发明涉及一种基于侧向光伏效应的薄膜结构位置灵敏探测器，包括Si单晶基片衬底和在Si单晶基片衬底上生成的薄膜光响应层，在薄膜光响应层上设置有呈中心对称分布的第一电极和第二电极，第一电极和第二电极之间通过导线连接并串联有电压表，其特征在于还包括设置在薄膜光响应层边缘的第三电极和第四电极，第三电极和第四电极在薄膜光响应层上呈中心对称分布，第三电极和第四电极通过导线短接并串联有开关，在Si单晶基片衬底的下表面还设置有底电极，在底电极上设置有第五电极，在第三电极和第四电极与第五电极之间通过导线接入直流稳压电源。改善了偏压调制下的探测器在激光高功率照射下线性度变差的情况，提高了探测器的探测范围和探测精度。

主权项

一种基于侧向光伏效应的薄膜结构位置灵敏探测器，包括Si单晶基片衬底(7)和在Si单晶基片衬底(7)上生成的薄膜光响应层(8)，在薄膜光响应层(8)上设置有呈中心对称分布的第一电极(2)和第二电极(3)，第一电极(2)和第二电极(3)之间通过导线(12)连接并串联有电压表(9)，其特征在于：还包括设置在薄膜光响应层(8)边缘的第三电极(1)和第四电极(4)，第三电极(1)和第四电极(4)在薄膜光响应层(8)上呈中心对称分布，第三电极(1)和第四电极(4)通过导线(12)短接并在第三电极(1)和第四电极(4)之间串联有开关(11)，在Si单晶基片衬底(7)的下表面还设置有底电极(6)，在底电极(6)上设置有第五电极(5)，在第三电极(1)和第四电极(4)与第五电极(5)之间通过导线(12)接入直流稳压电源(10)。