[发明专利]发光二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 201610267717.1 | 申请日： | 2016-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN105720160B | 公开（公告）日： | 2018-01-12 |
| 发明（设计）人： | 舒立明;叶大千;王良均;刘晓峰;吴超瑜;王笃祥;张东炎;陈沙沙 | 申请（专利权）人： | 天津三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300384 天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明提供一种发光二极管及其制备方法，该发光二极管结构包括第一类型氮化物区、发光区和第二类型氮化物区；第一类型氮化物区由多层第一氮化物层、第二氮化物层构成，第二类型氮化物区由多层第三氮化物层、第四氮化物层构成；且第二氮化物层、第四氮化物层分别具有指向对应第一氮化物层、第三氮化物层的高掺发射点；调整第二氮化物层、第四氮化物层分布层数及发射点密度、深度，载流子得到更大幅度的横向扩展，电流分布更加均匀，提高LED性能。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
发光二极管，包括第一类型氮化物区、发光区和第二类型氮化物区，其特征在于：所述第一类型氮化物区包含第一氮化物层和第二氮化物层，所述第一氮化物层和第二氮化物层交替设置，具有多个循环，所述第二氮化物层的掺杂浓度大于第一氮化物层的掺杂浓度，且第二氮化物层具有指向第一氮化物层的高掺发射点，使得电子趋向于通过该点从第n‑1个循环内第二氮化物层流向第n个循环内第二氮化物层。
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