[发明专利]减小顶栅石墨烯场效应晶体管欧姆接触的方法

摘要

本发明公开了一种减小顶栅石墨烯场效应晶体管欧姆接触的方法，该方法包括：在半导体衬底上依次形成绝缘层和石墨烯导电层；在所述半导体衬底上旋涂光刻胶，曝光后显影出梳型源漏接触结构，选择性沉积金属后剥离；在石墨烯导电层上沉积栅介质层；对栅介质层和石墨烯进行图形化刻蚀；在梳型源漏接触结构上选择性沉积源漏电极金属；在沟道区栅介质层上沉积栅金属。该制备过程简单并易于与顶栅石墨烯场效应晶体管制备工艺兼容，同时，由于采用了梳型的接触结构，使得电流通过边沿传输的方式由金属注入到石墨烯中，大大提升了电流注入效率，从而减小了器件的接触电阻，有助于提高顶栅石墨烯场效应晶体管的直流和频率特性。

主权项

1.一种减小欧姆接触工艺后的顶栅石墨烯场效应晶体管，其特征在于，包括半导体衬底、绝缘层、石墨烯导电层、梳型源漏接触结构、栅介质层、源漏电极金属、栅金属；所示绝缘层设置于所述半导体衬底上，所述石墨烯导电层设置于所述绝缘层上，所述梳型源漏接触结构经曝光显影、选择性沉积金属后剥离且剥离掉曝光图形以外的金属并设置于所述石墨烯导电层上，所述栅介质层选择性沉积在所述梳型源漏接触结构之间的沟道区，所述源漏电极金属选择性沉积在所述梳型源漏接触结构两侧的接触区，所述栅金属选择性沉积在沟道区的所述栅介质层上。