[发明专利]一种基于磁富集和全内反射的光学检测仪有效
申请号: | 201610266441.5 | 申请日: | 2016-04-26 |
公开(公告)号: | CN105929149B | 公开(公告)日: | 2018-09-11 |
发明(设计)人: | 刘春秀;贾建;蔡浩原;刘昶 | 申请(专利权)人: | 中国科学院电子学研究所 |
主分类号: | G01N33/53 | 分类号: | G01N33/53;G01N21/01;G01N21/55 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 任岩 |
地址: | 100190 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于磁富集和全内反射的光学检测仪,其特征在于,其包括:电控双磁场富集分离系统、光学检测系统和恒温加热系统,所述电控双磁场富集分离系统用于产生交替的磁场,以实现对芯片上磁粒子的双向驱动和富集;所述光学检测系统采用全内反射检测技术,以实现光学图像的检测和分析处理;所述恒温加热系统包括温度传感器和加热片,用于控制检测环境的温度。本发明的检测仪采用电控双磁场技术、全内反射光学检测技术和图像分析软件技术,实现样品中低浓度物质的自动快速检测,仪器便携、一步操作、简单快捷。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 富集 反射 光学 检测 | ||
【主权项】:
1.一种基于磁富集和全内反射的光学检测仪,其特征在于,其包括:电控双磁场富集分离系统、光学检测系统和恒温加热系统,所述电控双磁场富集分离系统用于产生交替的磁场,以实现对芯片上磁粒子的双向驱动和富集;所述光学检测系统采用全内反射检测技术,以实现光学图像的检测和分析处理,其包括发射光路和检测光路两部分,所述检测光路包括光学检测模块和远心镜头,所述光学检测模块采用CCD、CMOS、发光二极管或光电倍增管来进行光学图像检测;所述恒温加热系统包括温度传感器和加热片,用于控制检测环境的温度;其中,所述电控双磁场富集分离系统是通过放置在检测芯片上下两侧的磁柱或者磁片,交替加电/断电产生交替的磁场,以实现对芯片上磁粒子的双向驱动和富集;其中,所述发射光路和检测光路的核心采集部分采用暗盒进行封闭,暗盒进行内壁发黑处理,消除杂散光干扰,入射角度和接受光路的角度随芯片材料变化而不同,芯片材料确定,入射角度和接受光路的角度固定。
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