[发明专利]UHVLDMOS器件在审
| 申请号： | 201610263660.8 | 申请日： | 2016-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN107316903A | 公开（公告）日： | 2017-11-03 |
| 发明（设计）人： | 王伟 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/36 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 屈蘅,李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种UHV LDMOS器件，包括半导体衬底，所述半导体衬底中包括第一有源区和第二有源区，所述第一有源区被所述第二有源区包围，且所述第一有源区具有至少一端部；所述第一有源区中形成有漏区，所述第二有源区中形成有源区，且包围所述端部的所述第二有源区中不设置所述源区；所述端部与所述第二有源区之间的所述半导体衬底中形成有多个第一掺杂区。本发明中，第一掺杂区可以用于调节UHV LDMOS器件中N型和P型载流子的浓度，使得UHV LDMOS器件中的N型和P型载流子的浓度平衡。并且，防止端部处的器件击穿，从而提高器件的耐压性能。 | ||
| 搜索关键词： | uhvldmos 器件 | ||
【主权项】：
一种UHV LDMOS器件，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底中包括第一有源区和第二有源区，所述第二有源区包围所述第一有源区，且所述第一有源区具有至少一端部；所述第一有源区中形成有漏区，所述第二有源区未包围所述端部的部分中形成有源区；所述端部与所述第二有源区之间的所述半导体衬底中形成有多个第一掺杂区。
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