[发明专利]具有电子能量调节层的发光二极管外延结构在审
| 申请号： | 201610257519.7 | 申请日： | 2016-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN105895765A | 公开（公告）日： | 2016-08-24 |
| 发明（设计）人： | 张紫辉;张勇辉;毕文刚;徐庶;耿翀 | 申请（专利权）人： | 河北工业大学 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14 |
| 代理公司： | 天津翰林知识产权代理事务所(普通合伙) 12210 | 代理人： | 胡安朋 |
| 地址： | 300130 天津市红桥区*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明具有电子能量调节层的发光二极管外延结构，涉及至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件，从上至下顺序包括衬底、缓冲层、第一N型半导体材料、电子能量调节层、第二N型半导体材料层、多量子阱层、P型电子阻挡层和P‑型半导体材料传输层，其中电子能量调节层的相对介电常数为8.5～15.3，小于第一N型半导体材料层和第二N型半导体材料层的介电常数，其厚度为1～5000nm，材料为n‑型掺杂，并且其掺杂元素浓度需大于第一N型半导体材料层和第二N型半导体材料层，n‑型掺杂是通过掺杂Si、Ge、O或H元素实现，克服了现有技术存在在减小漏电子电流的同时却影响空穴的注入效率的缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 电子 能量 调节 发光二极管 外延 结构 | ||
【主权项】：
1.具有电子能量调节层的发光二极管外延结构，其特征在于：该结构从上至下顺序包括衬底、缓冲层、第一N型半导体材料、电子能量调节层、第二N型半导体材料层、多量子阱层、P型电子阻挡层和P-型半导体材料传输层，其中，电子能量调节层的相对介电常数取值为8.5～15.3，该介电常数小于第一N型半导体材料层的介电常数和第二N型半导体材料层的介电常数，其厚度为1～5000nm，电子能量调节层的材料为n-型掺杂，并且其掺杂元素浓度需大于第一N型半导体材料层和第二N型半导体材料层，n-型掺杂是通过掺杂Si、Ge、O或H元素实现。
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