[发明专利]一种基于石墨烯超表面结构的可调谐吸收型传感器结构及其应用有效

专利信息
申请号: 201610256610.7 申请日: 2016-04-20
公开(公告)号: CN105789363B 公开(公告)日: 2017-06-13
发明(设计)人: 宁仁霞;焦铮;许媛;鲍婕 申请(专利权)人: 黄山学院
主分类号: H01L31/09 分类号: H01L31/09
代理公司: 合肥市上嘉专利代理事务所(普通合伙)34125 代理人: 王伟
地址: 245041 安*** 国省代码: 安徽;34
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种基于石墨烯超表面结构的可调谐吸收型传感器结构,其特征在于,包括中空上下敞口的极性基体(3),所述极性基体(3)的中空部由下至上依次填充有导体材料层(1)和半导体材料层(2),所述半导体材料层(2)填充至与基体口部外缘上表面齐平,由所述半导体材料层、极性基体口部外缘上表面形成的表面上间隔涂覆有条状石墨烯材料层(4)。本发明石墨烯超表面吸收结构具有电调谐特性,即在该结构上加载电压时,吸收频段会随电压变化而改变;既可单独调谐,也可实现联调。通过石墨烯表面结构实现电压调控吸收频点的位置及个数;本发明同时具备环境介电常数可调谐吸收率的特性,可用作材料检测等。
搜索关键词: 一种 基于 石墨 表面 结构 调谐 吸收 传感器 及其 应用
【主权项】:
一种调谐石墨烯超表面吸收结构吸收频点的方法,所述石墨烯超表面吸收结构,包括中空上下敞口的极性基体(3),所述极性基体(3)的中空部由下至上依次填充有导体材料层(1)和半导体材料层(2),所述半导体材料层(2)填充至与基体口部外缘上表面齐平,由所述半导体材料层、极性基体口部外缘上表面形成的表面上间隔涂覆有条状石墨烯材料层(4);其特征在于,将石墨烯超表面吸收结构置于不同的背景环境中,当选择背景环境为空气,即εBG=1时,所述石墨烯超表面吸收结构吸收频点分别为29THz、37THz、45THz和48.5THz;当选择背景环境为水,即εBG=1.312时,所述石墨烯超表面吸收结构吸收频点分别为28.9THz、37THz、43.6THz和50THz;当选择背景环境的介电常数εBG=1.44时,所述石墨烯超表面吸收结构吸收频点分别为28.7THz、37THz、43THz和48.7THz。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于黄山学院,未经黄山学院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610256610.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top