[发明专利]一种基于忆阻器的快速起振晶体振荡器有效
| 申请号： | 201610255443.4 | 申请日： | 2016-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN105959000B | 公开（公告）日： | 2019-02-15 |
| 发明（设计）人： | 刘洋;高宝玲;刘伟忠;王俊杰 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H03L3/00 | 分类号： | H03L3/00 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 张杨 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于忆阻器的快速起振晶体振荡器，包括晶体谐振器、温补网络和振荡电路模块。其中振荡电路模块包括MOS或BJT等有源器件，电感、电阻、电阻等无源器件以及由m×n个忆阻器构成的忆阻器网络，利用忆阻器阻值连续可变的特性，通过调整忆阻器的阻值使振荡电路模块的等效负阻增加，从而有效减小晶体振荡器的起振时间，减小了晶振电路设计的难度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 忆阻器 快速 晶体振荡器 | ||
【主权项】：
1.一种基于忆阻器的快速起振晶体振荡器，包括晶体谐振器、温补网络和振荡电路模块组成的闭合回路；晶体谐振器用于产生振荡信号，温补网络用于补偿晶体谐振器的振荡频率因温度变化产生的偏移，振荡电路模块用于提供负阻，补偿晶体谐振器在振荡过程中的能量损失；其特征在于：振荡电路模块包括有源器件、无源器件以及忆阻器网络，调整忆阻器的阻值使振荡电路模块的等效负阻增加，从而减小晶振电路的起振时间。
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