[发明专利]带V坑多量子阱多波长的GaN基LED外延结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201610253193.0 | 申请日： | 2016-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN105870286A | 公开（公告）日： | 2016-08-17 |
| 发明（设计）人： | 莫春兰;刘军林;江风益;全知觉;张建立;王小兰;王光绪;吴小明 | 申请（专利权）人： | 南昌大学;南昌黄绿照明有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/08;H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 江西省专利事务所 36100 | 代理人： | 张文 |
| 地址： | 330031 江西省南昌市红谷滩*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种带V坑多量子阱多波长的GaN基LED外延结构及其制备方法，该结构包括衬底和依次层叠在所述衬底上的缓冲层、n型层、有源层和P型层，所述有源层包括多层结构和发光单元，发光单元包括发射3‑10个发光波长的多量子阱发光区域，多层结构存在V坑，V坑产生于多层结构，贯穿多量子阱发光区域。用本发明的方法获得的带V坑多量子阱多波长的GaN基LED外延结构可以解决现有主流白光LED存在的荧光粉寿命偏短、色温偏高、显色指数偏低以及蓝光短波长部分危害等问题，实现无荧光粉的单芯片LED发白光。 | ||
| 搜索关键词： | 多量 子阱多 波长 gan led 外延 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种带V坑多量子阱多波长的GaN基LED外延结构，包括:衬底和依次层叠在所述衬底上的缓冲层、n型层、有源层和P型层，其特征在于：有源层包括多层结构和发光单元, 所述发光单元设置于多层结构上，所述发光单元包括发射波长在400nm‑650nm的 3‑10个发光区域。
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