[发明专利]一种降低超薄四面体非晶碳膜应力的方法

摘要

本发明涉及一种降低超薄四面体非晶碳膜应力的方法，该方法包括以下步骤：（1）用浓度为95%的酒精对硅衬底进行处理，得到处理后的硅片基底，将该硅片基底粘贴在基架上，启动薄膜制备设备，并抽真空；（2）利用磁过滤阴极真空电弧设备，通过刻蚀清洗硅片基底，得到超薄ta‑C碳膜；（3）对所述超薄ta‑C碳膜进行沉积，35~40min后得到膜厚为45~50nm的超薄四面体非晶碳膜；该超薄四面体非晶碳膜降温至20~30℃后即可。本发明低应力、高硬度，不损伤薄膜力学性能，不降低sp³含量，制备简单方便，延长薄膜使用寿命。

主权项

一种降低超薄四面体非晶碳膜应力的方法，包括以下步骤：（1）将浓度为95%的酒精倒入烧杯中，放入硅衬底，使硅衬底没入酒精液面以下，再将盛有酒精和硅衬底的烧杯放入超声波清洗仪内，打开超声波，清洗5分钟，得到处理后的硅片基底，将该硅片基底粘贴在基架上，启动薄膜制备设备，并抽真空至3×10‑5Torr；（2）利用磁过滤阴极真空电弧设备，在入射粒子角度为60°、基底负偏压为‑400V、弧流为55A、氩气通入量为20sccm、基底刻蚀时间为10min的条件下，通过刻蚀清洗硅片基底，得到超薄ta‑C碳膜；（3）在入射粒子角度为60°、基底负偏压为‑80V、弧流为60A、氩气通入量为2sccm的条件下，对所述超薄ta‑C碳膜进行沉积，35~40min后得到膜厚为45~50nm的超薄四面体非晶碳膜；该超薄四面体非晶碳膜降温至20~30℃后即可。