[发明专利]聚（3,4‑乙撑二氧噻吩）纳米线薄膜及其合成方法与应用

摘要

本发明提供了一种聚(3,4‑乙撑二氧噻吩)纳米线薄膜，其按如下合成方法制备得到在三电极电解池中，以3,4‑乙撑二氧噻吩单体、支持电解质、电解溶剂的混合溶液为电解液，以金电极、铂电极、氧化铟锡导电玻璃电极或氟掺杂氧化锡导电玻璃电极为工作电极，以金电极或铂电极为辅助电极，以银/氯化银电极为参比电极，于室温下采用循环伏安法或恒电位法进行聚合反应，得到沉积在工作电极上的聚(3,4‑乙撑二氧噻吩)纳米线薄膜，经后处理淋洗、干燥即得成品；本发明制备方法简便，反应条件温和，产物纯度高，制得的聚合物薄膜具有电致变色性能，可作为电致变色材料应用于电致变色器件中。

主权项

一种聚(3,4‑乙撑二氧噻吩)纳米线薄膜，其特征在于，所述的聚(3,4‑乙撑二氧噻吩)纳米线薄膜按如下合成方法制备得到：在三电极电解池中，以3,4‑乙撑二氧噻吩单体、支持电解质、电解溶剂的混合溶液为电解液，以金电极、铂电极、氧化铟锡导电玻璃电极或氟掺杂氧化锡导电玻璃电极为工作电极，以金电极或铂电极为辅助电极，以银/氯化银电极为参比电极，于室温下采用循环伏安法或恒电位法进行聚合反应，得到沉积在工作电极上的聚(3,4‑乙撑二氧噻吩)纳米线薄膜，经后处理淋洗、干燥即得成品；所述的循环伏安法为：在‑1.5～2.0V电压范围内以0.01～0.5v/s的速率反复扫描4～10周，得到沉积在工作电极上的聚(3,4‑乙撑二氧噻吩)纳米线薄膜；所述的恒电位法为：在1.0～1.8V电压条件下聚合，当聚合电量达到0.01～0.1C时，聚合结束，然后在负电位‑1～‑0.2V下脱掺杂50～100s，得到沉积在工作电极上的聚(3,4‑乙撑二氧噻吩)纳米线薄膜；所述的电解液中3,4‑乙撑二氧噻吩单体的初始浓度为0.001～0.1mol/L，支持电解质的初始浓度为0.001～0.1mol/L；所述的支持电解质为1‑丁基‑3甲基咪唑双(三氟甲磺酰)亚胺盐；所述的电解溶剂为二氯甲烷。