[发明专利]二碘化铅薄膜在亚皮秒全光磁开关中的应用有效
| 申请号： | 201610251265.8 | 申请日： | 2016-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN105811953B | 公开（公告）日： | 2019-05-28 |
| 发明（设计）人： | 马红;刘玫;赵丽娜;焦扬;高垣梅 | 申请（专利权）人： | 山东师范大学 |
| 主分类号： | H03K17/94 | 分类号： | H03K17/94 |
| 代理公司： | 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 | 代理人： | 董洁 |
| 地址： | 250014 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了二碘化铅薄膜在亚皮秒全光磁开关中的应用。根据光学取向原理，利用圆偏振光产生一个有效磁场，在有效磁场的作用下，线偏振光的偏振面产生瞬态旋转。该类开关的切换速度达到亚皮秒量级，适用于470nm‑510nm的可见光波长范围，可以承受500μJ/cm2强脉冲激光。PbI2薄膜材料制备简单，造价低廉，适合大批量开发。薄膜厚度为纳米量级，光斑尺寸为微米量级，无需外加磁场，适合制备小体积全光磁开关并运用到集成光路中。 | ||
| 搜索关键词： | 碘化 薄膜 亚皮秒全光磁 开关 中的 应用 | ||
【主权项】：
1.PbI2薄膜制备的亚皮秒全光磁开关，其特征是：所述PbI2薄膜的厚度为10～300nm；开启开关的激光有效光斑尺寸直径为10μm到300μm。
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