[发明专利]图案化MRAM堆栈的干法等离子体蚀刻法有效
| 申请号： | 201610248296.8 | 申请日： | 2016-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN106067513B | 公开（公告）日： | 2019-07-09 |
| 发明（设计）人： | 萨曼莎·坦;特塞翁格·金姆;杨文斌;杰弗里·马克斯;索斯藤·利尔 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;H01J37/305 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 樊英如;李献忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及图案化MRAM堆栈的干法等离子体蚀刻法。提供了蚀刻金属的方法，所述方法通过沉积可与待被蚀刻的金属和卤素反应以形成挥发性物质的材料以及将衬底暴露于含卤素的气体和活化气体以蚀刻衬底来进行。所沉积的材料可以包括硅、锗、钛、碳、锡、以及它们的组合。方法适合于制造MRAM结构并且可以包括在不破坏真空的情况下将ALD和ALE工艺结合。 | ||
| 搜索关键词： | 图案 mram 堆栈 等离子体 蚀刻 | ||
【主权项】：
1.一种蚀刻处理室中的衬底的方法，所述方法包含：(a)使位于室内的衬底暴露于含卤素的气体以使所述衬底的表面改性，(b)使所述衬底暴露于活化气体和活化源以蚀刻所述衬底上的一个或多个层，以及(c)在(a)和(b)的过程中，向所述室提供反应性材料，该反应性材料能与所述含卤素的气体和在所述衬底上的所述一个或多个层的材料两者一起反应，以形成挥发性物质。
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