[发明专利]一种高定向SiC纳米阵列的制备方法在审
| 申请号： | 201610247114.5 | 申请日： | 2016-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN105926026A | 公开（公告）日： | 2016-09-07 |
| 发明（设计）人： | 杨为佑;陈春梅;陈善亮;高凤梅 | 申请（专利权）人： | 宁波工程学院 |
| 主分类号： | C25F3/12 | 分类号： | C25F3/12;C25D11/32;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 宁波市鄞州盛飞专利代理事务所(普通合伙) 33243 | 代理人： | 张向飞 |
| 地址： | 315211 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高定向SiC纳米阵列的制备方法，属于材料制备技术领域。该制备方法是以SiC基体为阳极，置于阳极氧化腐蚀液中经阳极氧化制成。本发明通过阳极氧化法，实现了在常温常压的温和条件下对高定向SiC纳米阵列的制备。同时，通过对脉冲电压/电流周期和腐蚀时间的协同控制，辅以腐蚀过程中的电压/电流震荡，达到对纳米结构从上到下分级可控腐蚀，实现高定向SiC纳米阵列在形貌、密度和长径比等的调控。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 定向 sic 纳米 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高定向SiC纳米阵列的制备方法，其特征在于，所述制备方法为：以SiC基体为阳极，置于阳极氧化腐蚀液中经阳极氧化制成。
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