[发明专利]一种双反馈的单片集成激光器芯片

摘要

本发明涉及半导体光电子领域，具体为一种双反馈的单片集成激光器芯片。解决了目前混沌激光器体积大、集成度不够高、混沌状态不够好等技术问题。一种双反馈的单片集成激光器芯片，包括自左向右顺次排列且共轴的左增益‑吸收部分、左相位调节部分、DFB激光器部分、右相位调节部分、右增益‑吸收部分。本发明采用极短的双腔结构消除了一般单腔反馈激光器芯片的固定时延，使用端面镀透反膜提供反馈，双反馈腔长度相似但不相同，彻底消除了单腔光反馈混沌激光器的时延特性，降低其弱周期性，提高其随机性该单片集成激光器芯片采用双反馈可提高集成器件的混沌带宽，使频谱更加平坦。该单片集成激光器芯片还具有重量轻、体积小、集成性强等优点。

主权项

1.一种双反馈的单片集成激光器芯片，其特征在于，包括自左向右顺次排列且共轴的左增益‑吸收部分（1）、左相位调节部分（2）、DFB激光器部分（3）、右相位调节部分（4）、右增益‑吸收部分（5）；所述的左增益‑吸收部分（1）和右增益‑吸收部分（5）加正方向电流可实现光放大的功能，加反方向电流可实现光衰减的功能；所述左增益‑吸收部分（1）和左相位调节部分（2）组成左反馈腔，右相位调节部分（4）和右增益‑吸收部分（5）组成右反馈腔；左、右反馈腔远离DFB激光器部分（3）的一端均为自然解理端面，其中一个端面反射率为0.1，另一端面的反射率为0.9；所述左反馈腔腔长为400‑800μm；右反馈腔腔长为400‑800μm；所述左反馈腔的腔长与右反馈腔腔长相差±10μm。