[发明专利]对非易失性存储器件编程的方法有效
| 申请号： | 201610245371.5 | 申请日： | 2010-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN105931671B | 公开（公告）日： | 2020-08-04 |
| 发明（设计）人： | 尹翔镛;尹铉竣;金甫根;朴起台;金武星 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 杨姗 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种对闪速存储器件进行编程的方法，包括：对选定的存储单元编程；执行验证操作，以确定选定的存储单元是否达到了目标编程状态；以及基于与检测初始编程状态的编程期间的合格比特相关联的编程特性，来确定验证操作的起始点。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 编程 方法 | ||
【主权项】：
一种对非易失性存储器件编程的方法，包括：对选定的存储单元编程；通过对选定的存储单元应用第一验证电压来针对与最低阈值电压相对应的第一编程状态执行验证操作；检测选定的存储单元中的至少一个的阈值电压是否大于或等于与所述第一编程状态相对应的验证电平；以及如果选定的存储单元中的至少一个的阈值电压大于或等于与所述第一编程状态相对应的验证电平，则基于用于对选定的存储单元编程的编程电压的当前值和所述第一编程状态与其他编程状态中的一个编程状态之间的阈值电压差来确定针对所述其他编程状态中的至少一个的验证起始点。
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