[发明专利]一种化学气相沉积制备二硫化铼薄膜的方法

摘要

本发明公开了一种化学气相沉积制备二硫化铼薄膜的方法，该方法以铼粉和碲粉混合物形成的二元低共熔体合金为铼源，硫粉为硫源，云母为生长基底，在氩气气氛下500～900℃生长出二维二硫化铼薄膜。本发明方法相比现有制备二硫化铼的方法，对设备条件要求较低，操作流程简单，具有反应温度低、生长效率高、层数均匀、所得产品晶格质量高和可控性好的特点，实现了大面积、高质量和层数可控二硫化铼的控制生长，为二硫化铼在电子和光电子器件领域的应用提供了可靠的样品制备方法。

主权项

1.一种化学气相沉积制备二硫化铼薄膜的方法，其特征在于：以铼粉和碲粉质量比为1:3～10的混合物为铼源、硫粉为硫源、云母为生长基底，在氩气气氛下500～900 ℃生长5～20分钟，所述铼粉与硫粉的质量比为1:60～100，并控制硫粉在150～250 ℃下加热挥发，得到二维二硫化铼薄膜。