[发明专利]一种三维双模高性能带通滤波器

摘要

本发明公开了一种三维双模高性能带通滤波器，涉及一种滤波器，包括输入端口P1、第一输入电感Lin1、第二输入电感Lin2、第一串联电感L1、第二串联电感L2、第一带状线分布式谐振单元U1、第二带状线分布式谐振单元U2、第一串联电容C1、第二串联电容C2、第一输出电感Lout1、第二输出电感Lout2和输出端口P2；采用多层低温共烧陶瓷工艺技术实现。本发明具有频率覆盖广、带外抑制好、插损小、重量轻、体积小、可靠性高、电性能好、温度稳定性好、电性能批量一致性好、成本低、可大批量生产等优点，适用于射频、微波频段的通信、卫星通信等对体积、电性能、温度稳定性和可靠性有苛刻要求的场合和相应的系统中。

主权项

一种三维双模高性能带通滤波器，其特征在于：包括输入端口P1、第一输入电感Lin1、第二输入电感Lin2、第一串联电感L1、第二串联电感L2、第一带状线分布式谐振单元U1、第二带状线分布式谐振单元U2、第一串联电容C1、第二串联电容C2、第一输出电感Lout1、第二输出电感Lout2和输出端口P2；输入端口P1和输出端口P2分别位于所述一种三维双模高性能带通滤波器的左右两侧；第一带状线分布式谐振单元U1从上至下依次设有第一Z型电容层、第一带状线层、第二带状线层、第三带状线层、第二Z型电容层，所述第一带状线分布式谐振单元U1还包括带状线A1、带状线A2、带状线A3、带状线A4、带状线M1、带状线M2、带状线M3、带状线M4、带状线B1、带状线B2、带状线B3、带状线B4、第一Z型电容Z1和第二Z型电容Z2，第一Z型电容Z1设于第一Z型电容层上，第二Z型电容Z2设于第二Z型电容层上，所述带状线A1、所述带状线A2、所述带状线A3和所述带状线A4从左至右依次间隔设于第一带状线层上，带状线M1设于第二带状线层上，并且所述带状线M1位于带状线A1的正下方，带状线M2设于第二带状线层上，并且所述带状线M2位于带状线A2的正下方，带状线M3设于第二带状线层上，并且所述带状线M3位于带状线A3的正下方，带状线M4设于第二带状线层上，并且所述带状线M4位于带状线A4的正下方，带状线B1设于第三带状线层上，并且所述带状线B1位于带状线M1的正下方，带状线B2设于第三带状线层上，并且所述带状线B2位于带状线M2的正下方，带状线B3设于第三带状线层上，并且所述带状线B3位于带状线M3的正下方，带状线B4设于第三带状线层上，并且所述带状线B4位于带状线M4的正下方；第二带状线分布式谐振单元U2从上至下依次设有第三Z型电容层、第四带状线层、第五带状线层、第六带状线层、第四Z型电容层，所述第二带状线分布式谐振单元U2还包括带状线A5、带状线A6、带状线A7、带状线A8、带状线M5、带状线M6、带状线M7、带状线M8、带状线B5、带状线B6、带状线B7、带状线B8、第三Z型电容Z3和第四Z型电容Z4，第三Z型电容Z3设于第三Z型电容层上，第四Z型电容Z4设于第四Z型电容层上，所述带状线A5、所述带状线A6、所述带状线A7和所述带状线A8从左至右依次间隔设于第四带状线层上，带状线M5设于第五带状线层上，并且所述带状线M5位于带状线A5的正下方，带状线M6设于第五带状线层上，并且所述带状线M6位于带状线A6的正下方，带状线M7设于第五带状线层上，并且所述带状线M7位于带状线A7的正下方，带状线M8设于第五带状线层上，并且所述带状线M8位于带状线A8的正下方，带状线B5设于第六带状线层上，并且所述带状线B5位于带状线M5的正下方，带状线B6设于第六带状线层上，并且所述带状线B6位于带状线M6的正下方，带状线B7设于第六带状线层上，并且所述带状线B7位于带状线M7的正下方，带状线B8设于第六带状线层上，并且所述带状线B8位于带状线M8的正下方；输入端口P1通过串联在一起的第一串联电感L1和第一输入电感Lin1连接带状线M1；输出端口P2通过串联在一起的第二串联电感L2和第一输出电感Lout1连接带状线M4；输入端口P1通过串联在一起的第一串联电容C1和第二输入电感Lin2连接带状线M5；输出端口P2通过串联在一起的第二串联电容C2和第二输出电感Lout2连接带状线M8。