[发明专利]一种g-C3N4/FTO复合透明导电薄膜的制备方法

摘要

本发明涉及透明导电薄膜材料领域，特指一种以掺氟二氧化锡(FTO)薄膜为基底，利用正负电解质离子相互吸附的自组装技术实现g‑C3N4/FTO复合透明导电薄膜制备的方法，通过改变实验过程中溶液的pH值可灵活调控所制备的复合薄膜的光电性能。

主权项

一种g‑C3N4/FTO复合透明导电薄膜的制备方法，其特征在于：将羟基化的FTO薄膜样品浸入NH3·H2O、H2O2和H2O的混合溶液中水浴加热，取出并清洗、吹干，随后将FTO薄膜样品放入硅烷偶联剂的乙醇溶液中浸泡后取出，清洗、吹干，再放入NaHSO4溶液中浸泡使得FTO薄膜样品表面产生带正电荷的氨基质子，通过对浸泡FTO薄膜样品的NaHSO4溶液pH值的控制，实现对复合薄膜光电性能的调控；再浸入g‑C3N4阴离子电解质溶液中，因静电力作用，阴离子电解质吸附在带正电荷的基片表面使其带负电，然后将表面带负电荷的基片再浸入(C8H16NCl)n阳离子电解质溶液中，让其带正电荷，使FTO薄膜自组装吸附g‑C3N4层，根据需要的自组装次数循环操作，最终获得g‑C3N4/FTO复合透明导电薄膜。