[发明专利]一种GaN HEMT上低温欧姆接触的制备方法

摘要

本发明涉及的是一种基于微电子工艺，一种GaN HEMT上低温欧姆接触的制备方法，具体实施步骤包括：(1)生长介质层；(2)制作欧姆接触窗口；(3)制作欧姆接触通孔；(4)制作扩散层；(5)生长介质层；(6)扩散；(7)刻蚀介质层；(8)制作欧姆接触金属。本发明针对现有GaN HEMT欧姆接触金属形貌差的缺点，提出在欧姆接触区域采用通孔加扩散的方法解决上述问题，具有(1)采用SiCl₄刻蚀，增加了材料中Si的浓度；(2)采用通孔形式进行Si扩散，工艺容差大；(3)有效降低了欧姆合金的温度，提高了欧姆接触表面形貌的优点。

主权项

1.一种GaN HEMT上低温欧姆接触的制备方法，其特征是，该方法包括以下步骤：(1)在GaN基底上外延出GaN HEMT异质结材料(1)，并在该GaN HEMT异质结材料(1)上制备第一介质层(2)；(2)在第一介质层(2)上制备形成欧姆接触窗口(3)；(3)在欧姆接触窗口(3)的范围内制备出贯穿第一介质层(2)的欧姆接触通孔(4)；该欧姆接触通孔(4)形成在GaN HEMT异质结材料(1)中；(4)制备Si扩散层(5)，该Si扩散层填充至欧姆接触通孔(4)中并覆盖第一介质层(2)及欧姆接触窗口(3)；(5)制备第二介质层(6)，该第二介质层(6)覆盖于Si扩散层(5)上；(6)将Si扩散层(5)扩散入GaN HEMT异质结材料(1)中；(7)采用刻蚀工艺刻蚀第一介质层(2)；并去除欧姆接触通孔(4)中剩余的Si；(8)在GaN HEMT异质结材料(1)上制备欧姆接触金属(7)并采用退火工艺实现欧姆接触。