[发明专利]化学气相沉积清洗终点监测方法及其系统在审
| 申请号： | 201610237897.9 | 申请日： | 2016-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN105714270A | 公开（公告）日： | 2016-06-29 |
| 发明（设计）人： | 李端明;李成;蔡盛洁;祝汉泉;苏君海;李建华 | 申请（专利权）人： | 信利（惠州）智能显示有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/44 | 分类号： | C23C16/44;C23C16/52 |
| 代理公司： | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人： | 温旭 |
| 地址： | 516029 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种化学气相沉积清洗终点监测方法，包括：将三氟化氮气体通入CVD腔室进行清洗；将三氟化氮气体在对CVD腔室清洗过程中产生的光束进行频谱分析；检测所述光束中是否存在四氟化硅光谱；若是，则继续监测所述光束的频谱；若否，则发出清洗终点指令，停止对CVD腔室的清洗。本发明还提供了一种化学气相沉积清洗终点监测系统，包括：清洗装置，用于将三氟化氮气体通入CVD腔室进行清洗；光谱分析装置，用于将三氟化氮气体在对CVD腔室清洗过程中产生的光束进行频谱分析；监测控制装置，用于检测所述光束中是否存在四氟化硅光谱。本发明提供的技术方案具有节省清洗时间，减少资源浪费和提高沉积效率的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 沉积 清洗 终点 监测 方法 及其 系统 | ||
【主权项】：
一种化学气相沉积清洗终点监测方法，其特征在于，包括：将三氟化氮气体通入CVD腔室进行清洗；将三氟化氮气体在对CVD腔室清洗过程中产生的光束进行频谱分析；检测所述光束中是否存在四氟化硅光谱；若是，则继续监测所述光束的频谱；若否，则发出清洗终点指令，停止对CVD腔室的清洗。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
