[发明专利]N型动态阈值晶体管、制备方法及提高工作电压的方法有效
| 申请号： | 201610237275.6 | 申请日： | 2016-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN105895703B | 公开（公告）日： | 2019-09-13 |
| 发明（设计）人： | 陈静;吕凯;罗杰馨;柴展;何伟伟;黄建强;王曦 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 姚艳 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种N型动态阈值晶体管、制备方法及提高工作电压的方法，该N型动态阈值晶体管至少包括：衬底结构，位于所述衬底结构上的n个阈值可调结构；所述阈值可调结构至少包含两个NMOS管和两个二极管，两个NMOS管共用体区，所述体区为N型重掺杂区；两个二极管共用N区，并以两个NMOS管共用的体区作为N区；所述第一二极管的N区与所述第一NMOS管的栅连接，所述第二二极管的N区与所述第二NMOS管的栅连接。本发明通过在两个NMOS管的栅体连接通路上各形成一个反偏PN结，来提升体区电压、降低阈值电压、提高驱动电流，实现工作电压的提高，扩展了N型动态阈值晶体管在低功耗电路设计领域的应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 动态 阈值 晶体管 制备 方法 提高 工作 电压 | ||
【主权项】：
1.一种N型动态阈值晶体管，其特征在于，所述N型动态阈值晶体管至少包括：衬底结构，位于所述衬底结构上的n个阈值可调结构，其中，n为大于等于1的自然数；所述阈值可调结构至少包含两个NMOS管和两个二极管，其中，第一NMOS管和第二NMOS管的沟道区均为P型轻掺杂区，且两个NMOS管共用体区，所述体区为N型重掺杂区；第一二极管以所述第一NMOS管的沟道区作为P区，第二二极管以所述第二NMOS管的沟道区作为P区，且两个二极管共用N区，并以两个NMOS管共用的体区作为N区；所述第一二极管的P区与所述第一NMOS管的体区连接，所述第一二极管的N区与所述第一NMOS管的栅连接，所述第二二极管的P区与所述第二NMOS管的体区连接，所述第二二极管的N区与所述第二NMOS管的栅连接；所述第一NMOS管和所述第二NMOS管的栅均包括N型重掺杂区及隔离区，所述隔离区靠近所述体区，其中所述隔离区为未掺杂的多晶硅层。
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