[发明专利]带GaN子阱的共振隧穿二极管在审
| 申请号： | 201610233274.4 | 申请日： | 2016-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN105895670A | 公开（公告）日： | 2016-08-24 |
| 发明（设计）人： | 高博;刘洋 | 申请（专利权）人： | 四川大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/20;H01L29/205;H01L29/88;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610064 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开带GaN子阱的共振隧穿二极管（Resonant Tunneling Diode,RTD）的材料结构，见附图，自上而下描述为：重掺杂的AlxGa1‑xN发射区、AlGaN/GaN发射极异质结隔离区、AlyGa1‑yN势垒、GaN势阱、AlyGa1‑yN势垒、GaN集电极隔离区、重掺杂的GaN集电区。本结构相对于GaN基双势垒RTD结构，创新地采用了AlxGa1‑xN作为发射区、AlxGa1‑xN/GaN异质结作为发射极隔离区，异质结极化效应将产生二维电子气作为子量子阱。仿真在室温下（300K）进行，仿真采用x=0.2，y=0.2，GaN隔离层采用x=3nm，峰值电流Ip=44.67 mA/um2，谷值电流Iv=7.87mA/um2，PVCR=5.68，性能参数比GaN基双势垒RTD提高了一个数量级，也是目前RTD研究报道中性能最优。这种结构的RTD输出电流大、峰谷比值大，将其应用于太赫兹波振荡源设计，满足输出大功率太赫兹波的应用要求。 | ||
| 搜索关键词： | gan 共振 二极管 | ||
【主权项】：
带GaN子阱的共振隧穿二极管（Resonant Tunneling Diode, RTD）的基本结构组成是：双势垒单势阱区夹在AlGaN/GaN异质结隔离区和GaN集电极隔离区之间，所得结构又夹在发射区和集电区之间，从而形成器件整体结构。
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