[发明专利]一种大容量立体集成SRAM存储器三维扩展方法

摘要

本发明一种大容量立体集成SRAM存储器三维扩展方法，其包括如下步骤，步骤1，确定单位存储芯片的数量；步骤2，在单位存储芯片四周增加TSV孔区域，并且每个单位存储芯片TSV位置坐标均保持一致；步骤3，采用再分布互连线将单位存储器芯片的地址信号，数据信号，读写信号NEW和片选信号CS的端口与该单位存储器芯片上的TSV孔进行互连；步骤4，将所有的单位存储芯片依次堆叠在外围电路上，并将各单位存储器芯片中的数据信号、地址信号、读写使能信号NEW和输出使能信号NOE通过TSV孔互连短接，将各单位存储器芯片的片选信号分别连接到外围电路上；得到三维扩展的大容量立体集成SRAM存储器。

主权项

1.一种大容量立体集成SRAM存储器三维扩展方法，其特征在于，包括如下步骤，步骤1，根据大容量SRAM存储器的容量和选取的单位存储芯片的容量，得到需要的单位存储芯片的数量；步骤2，在单位存储芯片四周增加TSV孔区域，所增加的TSV孔不影响单位存储器芯片内部单元结构，并且每个单位存储芯片TSV位置坐标均保持一致；步骤3，采用再分布互连线将单位存储器芯片的地址信号，数据信号，读写信号NEW和片选信号CS的端口与该单位存储器芯片上的TSV孔进行互连；步骤4，将所有的单位存储芯片依次堆叠在外围电路上，并将各单位存储器芯片中的数据信号、地址信号、读写使能信号NEW和输出使能信号NOE通过TSV孔互连短接，将各单位存储器芯片的片选信号分别连接到外围电路上；得到三维扩展的大容量立体集成SRAM存储器；片选信号采用包括低电平有效片选信号NCS和高电平有效片选信号CS；各单位存储器芯片中的高电平有效片选信号CS通过TSV孔互连短接；各单位存储器芯片中的低电平有效片选信号NCS分别连接到外围电路上；单位存储芯片进行依次堆叠时，将上层单位存储芯片的TSV凸点与下层单位存储芯片的TSV凸点对应位置进行键合，每层单位存储芯片片选信号均以TSV孔穿层连接至最底层的单位存储芯片。