[发明专利]一种碲化镉量子点与水滑石Langmiur-Blodgett复合发光薄膜及其制备方法

摘要

本发明公开了一种碲化镉量子点与水滑石Langmuir-Blodgett复合发光薄膜及其制备方法。本发明使用LB拉膜机将在有机溶剂中剥离的水滑石纳米片制成Langmiur-Blodgett膜，再与碲化镉量子点在三维空间层层交替组装，形成结构有序的碲化镉量子点与水滑石超分子层状材料。根据组装层数的不同，薄膜厚度可在20-9000nm之间均匀调控。本发明利用电荷调节和基团修饰，实现碲化镉量子点的固定化；利用水滑石层板的刚性结构和二维空间的限域作用，实现了光活性碲化镉量子点的固定化以及在分子尺度上的有序排列，提高了碲化镉量子点的稳定性，降低了因分子间聚集而产生的荧光淬灭；通过Langmiur-Blodgett膜提拉法实现了薄膜发光效率的显著提升，对于多种发光分子固定化具有一定的意义。

主权项

一种碲化镉量子点与水滑石Langmiur‑Blodgett复合发光薄膜的制备方法，其特征在于，其具体操作步骤为：1)将水滑石前体加入甲酰胺溶剂里进行剥离，加入量为0.5‑1.5g/L，搅拌速度为3000‑5000转/分，反应12‑36小时后离心，弃去沉淀物，得到澄清透明胶体溶液，稀释至0.01‑0.5g/L，使用0.1‑0.4mol/L的NaOH溶液调节PH至9‑9.5，记为溶液A；2)用0.1‑0.4mol/L的NaOH溶液调节亲水性碲化镉量子点溶液的pH值至9‑9.5，记为胶体溶液B；3)将两亲性分子溶解在有机溶剂中，然后滴加到溶液A中，待有机溶剂挥发，两亲性分子均匀平铺，控制膜压为20‑40mNm^‑1，将基底进行疏水化处理，然后使用LB拉膜机提拉制得水滑石LB膜；再放置于胶体溶液B中，浸泡10‑20分钟并充分清洗，得到一次循环的碲化镉量子点与水滑石Langmiur‑Blodgett复合发光薄膜；4)重复步骤3)，交替在溶液A中提拉操作和胶体溶液B中浸泡操作1‑10次，得到多层碲化镉量子点与水滑石Langmiur‑Blodgett复合发光薄膜。