[发明专利]一种黑硅表面清洗方法及黑硅电池制备方法

摘要

本发明提供了一种黑硅表面清洗方法以及黑硅电池的制备方法，通过如下步骤完成黑硅表面清洗1)、将黑硅硅片放在混合溶液A中浸泡10～60分钟；2)、使用循环去离子水清洗1～3次；3)、再次使用循环去离子水对步骤2)中清洗过的黑硅硅片清洗1～3次；4)、将步骤3)中烘干后的黑硅硅片至于氧气中，用低压水银灯产生的紫外光照射黑硅表面进行光清洗。本发明公开的方法，不仅能够提高黑硅电池的转换效率，工艺参数具体，便于控制，而且简单易行，适合工业化生产。

主权项

一种黑硅表面清洗方法，其特征在于，包括如下步骤：1)、将黑硅硅片放在温度为80～90℃的碳酸钠和吲哚丙酸的混合溶液A中浸泡10～60分钟，对表面微结构进行修正；2)、使用循环去离子水对在混合溶液A中浸泡完成的黑硅硅片清洗1～3次，然后用氢氟酸和盐酸的混合溶液B清洗2～5分钟；3)、再次使用循环去离子水对步骤2)中清洗过的黑硅硅片清洗1～3次，然后使用60～90℃的热风进行烘干；4)、将步骤3)中烘干后的黑硅硅片至于氧气中，用低压水银灯产生的紫外光照射黑硅表面进行光清洗，光清洗时间为2～20min，处理完成后，黑硅硅片的黑硅层表面即清洗完成。