[发明专利]气相生长方法有效
| 申请号： | 201610218871.X | 申请日： | 2016-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN106057659B | 公开（公告）日： | 2019-12-13 |
| 发明（设计）人： | 高桥英志;佐藤裕辅 | 申请（专利权）人： | 纽富来科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;C30B25/14 |
| 代理公司： | 11327 北京鸿元知识产权代理有限公司 | 代理人： | 姜虎;陈英俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种气相生长方法，能够在供给了含Ga的气体的同一反应室内，在Si上形成优质的膜。实施方式的气相生长方法中，将第一基板搬入反应室，向反应室供给含镓(Ga)的第一气体，在第一基板上形成第一膜，将第一基板从反应室搬出，将第二基板搬入反应室，向反应室供给含氯原子的第二气体，向反应室供给氢气或者惰性气体的第三气体，在第二基板上形成氮化铝膜或氮化硅膜的第二膜，将第二基板从反应室搬出。 | ||
| 搜索关键词： | 相生 方法 | ||
【主权项】：
1.一种气相生长方法，其特征在于，/n将第一基板搬入反应室；/n向所述反应室供给含镓(Ga)的第一气体，在所述第一基板上形成第一膜；/n将所述第一基板从所述反应室搬出；/n将第二基板搬入所述反应室；/n向所述反应室供给含氯原子的第二气体；/n向所述反应室供给氢气或惰性气体的第三气体；/n在所述第二基板上形成氮化铝膜或氮化硅膜的第二膜；/n将所述第二基板从所述反应室搬出；/n将所述第二基板从所述反应室搬出之后，将表面为硅(Si)的第三基板搬入所述反应室；/n在所述第三基板上形成氮化铝膜或氮化硅膜的第三膜；/n供给所述第二气体时的所述第二基板的温度为950℃以上1050℃以下；/n供给所述第三气体时的所述第二基板的温度高于供给所述第二气体时的所述第二基板的温度，为1050℃以上1200℃以下，/n所述第一基板是表面为硅(Si)的第一晶圆，/n所述第二基板是碳化硅(SiC)的虚设晶圆，/n所述第三基板是表面为硅(Si)的第二晶圆。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
