[发明专利]检测样品的制备方法和检测方法有效
| 申请号： | 201610213349.2 | 申请日： | 2016-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN107271230B | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 胡敏达;袁光杰;何其暘;陈柳;段淑卿 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | G01N1/28 | 分类号： | G01N1/28 |
| 代理公司： | 11227 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 高静;吴敏<国际申请>=<国际公布>=< |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种检测样品的制备方法，包括：提供半导体结构，所述半导体结构包括：第一连接件；位于第一连接件表面的阻挡层，所述阻挡层的扩散系数小于第一连接件的扩散系数，所述介质层与所述阻挡层之间的原子密度差大于第一连接件与阻挡层之间的原子密度差；对所述半导体结构进行截面断层处理，形成截面薄膜；对所述截面薄膜进行扩散处理。通过对所述截面薄膜进行扩散处理，使扩散系数较大的第一连接件扩散入介质层。此外，位于所述截面薄膜第二面的介质层与所述阻挡层的原子密度差大于第一连接件与阻挡层之间的原子密度差。因此，能够在检测样品形成图像后，增加所述阻挡层侧壁所形成图像的清晰度，降低检测难度。 | ||
| 搜索关键词： | 检测 样品 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种检测样品的制备方法，其特征在于，包括：/n提供半导体结构，所述半导体结构包括：基底，位于基底内的第一连接件，所述基底暴露出所述第一连接件；位于第一连接件和基底上的介质层；位于介质层内的阻挡层，所述阻挡层位于第一连接件表面，所述阻挡层的扩散系数小于第一连接件的扩散系数，所述基底与所述阻挡层之间的原子密度差大于第一连接件与阻挡层之间的原子密度差；/n沿垂直于第一连接件表面的方向对所述半导体结构进行截面断层处理，形成截面薄膜，所述截面薄膜包括部分第一连接件、部分阻挡层、包围所述第一连接件的部分基底、以及包围阻挡层的部分介质层，所述截面薄膜具有相对的第一面和第二面，所述第一面暴露出阻挡层和第一连接件，第二面暴露出基底和介质层，位于所述截面薄膜第二面的介质层与所述阻挡层的原子密度差大于第一连接件与阻挡层之间的原子密度差；/n对所述截面薄膜进行扩散处理。/n
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