[发明专利]衬底处理装置及半导体器件的制造方法有效

专利信息
申请号: 201610212878.0 申请日: 2016-04-07
公开(公告)号: CN106098591B 公开(公告)日: 2018-12-25
发明(设计)人: 高桥哲 申请(专利权)人: 株式会社国际电气
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67;H01J37/32
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 杨宏军;李文屿
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种能够抑制颗粒的产生的衬底处理装置及半导体器件的制造方法。其具有:处理容器,对衬底进行处理;处理气体供给部,向处理容器供给处理气体;衬底载置台,设置于处理容器内;处理容器侧排气部,与处理容器连接;轴,以上端支承所述衬底载置台;轴支承部,对轴进行支承;开口孔,设置于贯穿有轴的处理容器的底壁;波纹管,具有配置于开口孔与轴支承部之间的可伸缩的波纹管壁,波纹管壁的内侧空间与处理容器的空间连通;波纹管侧气体供给排出部,将非活性气体向波纹管壁的内侧空间的供给与内侧空间的气氛的排气并行地进行。
搜索关键词: 衬底 处理 装置 半导体器件 制造 方法
【主权项】:
1.一种衬底处理装置,其包括:处理容器,对衬底进行处理;处理气体供给部,向所述处理容器供给处理气体;衬底载置台,设置于所述处理容器内;处理容器侧排气部,与所述处理容器连接;轴,对所述衬底载置台进行支承;轴支承部,对所述轴进行支承;开口孔,设置于贯穿有所述轴的所述处理容器的底壁;波纹管,具有配置于所述开口孔与所述轴支承部之间的可伸缩的波纹管壁,所述波纹管壁的内侧空间与所述处理容器的空间连通;波纹管侧气体供给排出部,并行地进行将非活性气体向所述波纹管壁的内侧空间的供给与所述内侧空间的气氛的排气,其中,所述波纹管侧气体供给排出部具有:第一非活性气体供给部,与设置于所述波纹管壁的上端与所述处理容器的底壁之间的非活性气体供给孔连接,向所述内侧空间供给非活性气体;和波纹管侧气体排出部,设置于比所述非活性气体供给孔更靠下方的位置,经由将所述内侧空间的气氛排出的波纹管侧排气孔而与所述波纹管壁的内侧空间连通,所述处理气体供给部具有供给原料气体的原料气体供给部和供给非活性气体的第二非活性气体供给部,在所述原料气体供给部向所述处理容器供给原料气体的期间,所述波纹管侧气体供给排出部以第一供给量向所述内部空间供给非活性气体,在从所述第二非活性气体供给部向所述处理容器供给非活性气体的期间,所述波纹管侧气体供给排出部以少于所述第一供给量的供给量向所述内部空间供给非活性气体。
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