[发明专利]一种半导体异质结DNA生物传感器及其制备与应用

摘要

本发明涉及一种半导体异质结DNA生物传感器及其制备方法与应用，该传感器包括半导体异质结器件和DNA分子探针(5)，半导体异质结器件包括基板衬底(1)、第一半导体层(2)、第二半导体层(3)和源漏电极(4)，DNA分子探针(5)位于第二半导体层(3)表面；该生物传感器是先通过光刻制作源漏电极(4)，再通过真空蒸镀或溅射或旋涂的方法制作半导体异质结器件，最后将DNA分子探针(5)固定在第二半导体层(3)上；本生物传感器通过DNA分子探针和目标DNA分子杂交所引起半导体异质结电导率变化来检测DNA。与现有技术相比，本发明提供的半导体异质结DNA生物传感器具有结构简单、制作成本低、灵敏度高、检测方法多样化等特点。

主权项

1.一种半导体异质结DNA生物传感器，其特征在于，该传感器包括半导体异质结器件和DNA分子探针(5)，所述半导体异质结器件包括基板衬底(1)、第一半导体层(2)、第二半导体层(3)和源漏电极(4)，所述DNA分子探针(5)位于所述第二半导体层(3)表面；所述的半导体异质结器件结构具体为：第一半导体层(2)位于基板衬底(1)上方、第二半导体层(3)位于第一半导体层(2)上方、源漏电极(4)位于第一半导体层(2)和第二半导体层(3)的两侧；所述第一半导体层(2)的材料包括P型半导体或N型半导体，所述第二半导体层(3)的半导体型号与第一半导体层(2)不同，第二半导体层(3)的材料包括N型半导体或P型半导体；所述的P型半导体包括酞菁铜、酞菁锌、酞菁镍、酞菁钴、自由酞菁、酞菁铂、酞菁铅、酞菁氧钒、酞菁氧钛、酞菁氯铝、酞菁二氯锡、酞菁氧锡、红荧烯、并五苯、并三苯、并四苯、聚吡咯、聚噻吩、聚三六甲基噻吩、聚苯酚或聚2,5‑噻吩乙炔中的一种；所述N型半导体包括C60、氟代酞菁铜、氟代酞菁锌、氟代酞菁铁、氟代酞菁钴、氯代酞菁铜、氯代酞菁锌、氯代酞菁铁、氯代酞菁钴、酞菁氧钛、氟代六噻吩、氯代六噻吩、3,4,9,10‑苝四羧酸二酐，N,N’‑二苯基‑3,4,9,10‑苝四羧酸二胺、四氰基二甲基醌、1,4,5,8‑萘四羧酸二酐、1,4,5,8‑萘四羧酸二胺、11,11,12,12‑四氰基二甲基萘醌、四甲基四硒代富瓦烯、ZnO、氧化铟镓锌、氧化铪铟锌、氧化铝铟锌或氧化锌铟锡中的一种。