[发明专利]一种复合透明导电层的制作工艺在审
| 申请号： | 201610212122.6 | 申请日： | 2016-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN105702828A | 公开（公告）日： | 2016-06-22 |
| 发明（设计）人： | 陈亮;李俊贤;吕奇孟;吴奇隆;陈凯轩;张永;刘英策;李小平;魏振东;周弘毅;黄新茂;蔡立鹤;林志伟;姜伟;卓祥景;方天足 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/40 | 分类号： | H01L33/40;H01L33/42;H01L31/18 |
| 代理公司： | 扬州市锦江专利事务所 32106 | 代理人： | 江平 |
| 地址： | 361000 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 一种复合透明导电层的制作工艺，涉及发光二极管LED芯片、太阳能电池、光电探测器等光电半导体器件的生产技术领域。本发明先在基础材料上形成10nm～300nm的透明导电薄膜层，在所述透明导电薄膜层上蒸镀具有高反射率的金属层，然后再通过100～500℃的合金工艺，制成复合透明导电层。此纳米金属颗粒会促进电流在晶界处（晶粒与晶粒之间）的扩散，相比于常规透明导电层，该复合透明导电层将拥有更好电流扩散效果，应用于光电半导体器件中能增加半导体器件的外量子效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 复合 透明 导电 制作 工艺 | ||
【主权项】：
一种复合透明导电层的制作工艺，其特征在于：先在基础材料上形成10nm～300nm的透明导电薄膜层，在所述透明导电薄膜层上蒸镀具有高反射率的金属层，然后再通过100～500℃的合金工艺，制成复合透明导电层。
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