[发明专利]一种复合半导体材料的制备方法

摘要

本发明涉及一种复合半导体材料的制备方法，属于半导体材料技术领域。本发明针对目前单一半导体材料光生电子和空穴对复合率高，对污染物的吸附性差，易出现光腐蚀现象的问题，本发明首先通过对石墨烯进行碱浸活化，在高温中煅烧扩大其内部空隙，再通过在L‑硒代蛋氨酸及硫酸钠混合液中冷冻降温，使其内部接合硒离子，改性石墨烯，随后将其与氯化锌混合，在二乙烯三胺的作用下复配，在此过程添加钛酸四丁酯，使复配物中包覆二氧化钛，从而得到复合半导体材料，所得的复合半导体材料对污染物吸附性好，稳定性高。

主权项

一种复合半导体材料的制备方法，其特征在于具体制备步骤为：（1）称取600～900g石墨烯放入烧杯中，向其中加入900～1000mL质量分数为50％的氢氧化钠溶液，再对烧杯进行加热至液体沸腾，保持温度沸腾3～5h后趁热过滤，使用无水乙醇冲洗过滤物3～5次后，将过滤物放入煅烧炉中，在1100～1300℃下，煅烧20～30min，备用；（2）量取500～700mL无水乙醇放入烧瓶中，再分别向其中加入80～110gL‑硒代蛋氨酸及56～62g硫酸钠，搅拌均匀，使用质量分数为30％的氢氧化钠溶液调节pH至9.0～9.5，随后对烧瓶进行加热至110～115℃，以200r/min搅拌1～2h后自然冷却至室温，将烧杯移至冰箱中，在5℃下冷冻保存20～30min，得降温液；（3）待步骤（1）煅烧结束后降温至300～400℃后，按固液比1:3，将煅烧物放入上述所得的降温液中，以300r/min搅拌冷却至室温，再进行过滤，使用蒸馏水冲洗过滤物2～3次，将过滤物放入烘箱中，在90℃下干燥10～12h后，把干燥物放入行星式球磨机中进行研磨，过200目筛，得敏感基质；（4）分别称取70～100g上述制备的敏感基质、220～230mL质量分数为20％的氯化锌溶液及40～60mL二乙烯三胺放入反应釜中，使用氮气将反应釜中的空气排出，在50℃下以120r/min搅拌预热10～15min；（5）在上述预热结束后，向反应釜中加入180～250g钛酸四丁酯，升温至160～180℃，以200r/min搅拌反应2～3h，再停止搅拌加热，自然冷却至室温，随后出料过滤，使用蒸馏水冲洗过滤物3～5次，再将过滤物在真空干燥箱中，在60℃下干燥过夜，然后将干燥物放入马弗炉中，于550～600℃下退火处理5h后，将其取出放入粉碎机中粉碎，过200目筛，即可得到复合半导体材料。