[发明专利]一种复合型多层膜结构银纳米线及其制备方法在审
| 申请号： | 201610207325.6 | 申请日： | 2016-04-05 |
| 公开（公告）号： | CN105839062A | 公开（公告）日： | 2016-08-10 |
| 发明（设计）人： | 王雅新;张梦宁;赵晓宇;陈雷;张永军 | 申请（专利权）人： | 吉林师范大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/20;C23C14/18;C23C14/10;C23C14/58;B22F1/00;B82Y40/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 | 代理人： | 王恩远;李泉宏 |
| 地址： | 136000 吉林*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种复合型多层膜结构银纳米线及其制备方法，主要采用物理沉积技术和退火处理相结合的方法，利用磁控溅射技术在二维有序胶体球模板上制备出[Ag 20～30nm/SiO2 3～5nm]n纳米多层膜阵列，并进一步对其在氩气保护下进行退火处理，从而形成复合型多层膜结构表面生长出银纳米线。这种方法制备成本低、耗时少，且具有结构稳定、可控性强、纯度高的特点，将二氧化硅和银结合到一起，二氧化硅可以改变金属周围的电介质环境，而且可以防止银发生氧化，使银纳米线结构存活时间更长。此外，结构具有丰富的热点，有很高的SERS活性，可应用于分子探测与识别技术等领域、电子学、磁学、声学、光学等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 复合型 多层 膜结构 纳米 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种复合型多层膜结构银纳米线，其特征在于，其生长于结构为20～30nm的银和3～5nm的二氧化硅循环沉积n个周期形成的[Ag 20～30nm/SiO2 3～5nm]n纳米多层膜阵列的表面；其中5≥n≥1。
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