[发明专利]一种透明超疏水纳米阵列及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201610207076.0 申请日: 2016-04-05
公开(公告)号: CN105776317B 公开(公告)日: 2018-02-06
发明(设计)人: 张友法;张静;安力佳;余新泉;陈锋 申请(专利权)人: 东南大学
主分类号: C01G9/02 分类号: C01G9/02;B82Y40/00
代理公司: 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙)32249 代理人: 冯慧
地址: 211189 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种透明超疏水纳米阵列及其制备方法。首先采用旋涂或喷涂法,将氧化锌晶种溶胶涂敷在基片表面,获得均匀的纳米晶种层。接着,采用棉线竖直悬挂技术,控制好悬挂高度以及在KOH和Zn(NO3)2配制的低浓度生长液中的位置,即可获得透明纳米氧化锌阵列,进行氟化后还可构建优异的超疏水性。通过基片双面涂覆、烧结和生长技术,可在基片双面都获得透明超疏水纳米阵列。这种表面冷凝结露的液滴呈球状,尺寸小,极易合并弹跳,脱附率高,覆盖率低,显示出优异的抗结露效果,在建筑外墙玻璃、太阳能电池和汽车玻璃等产品有重要应用前景,也可为滴状冷凝、抗结霜、抗结冰等应用提供思路。
搜索关键词: 一种 透明 疏水 纳米 阵列 及其 制备 方法
【主权项】:
一种透明超疏水纳米阵列制备方法,其特征在于,所述方法包括下列步骤:第一步,晶种层制备:采用旋涂或喷涂法将ZnO晶种溶胶涂覆在基片表面,氮气保护条件下热处理,即在基片表面获得纳米氧化锌晶种层;所述的ZnO晶种溶胶浓度为0.1~0.25M;第二步,纳米阵列生长:将基片边角用棉线拴住,竖直悬挂浸没于纳米阵列生长溶液中,35~90℃恒温水浴条件下,反应充分后取出,洗净吹干,在晶种层表面获得氧化锌透明纳米阵列,所述的生长溶液为KOH和Zn(NO3)2配制的浓度0.01~0.5M的Zn(OH)42‑水溶液,并控制溶液的pH值在10~12之间;第三步,超疏水化:将基片浸入稀氟硅烷乙醇溶液中改性,洗净吹干后,固化获得在基片表面获得透明超疏水纳米阵列。
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