[发明专利]半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201610206310.8 | 申请日： | 2016-04-05 |
| 公开（公告）号： | CN107302004B | 公开（公告）日： | 2020-04-07 |
| 发明（设计）人： | 常荣耀 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/1157 | 分类号： | H01L27/1157 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体器件及其形成方法，其中方法包括：提供半导体衬底；刻蚀半导体衬底，形成边坡衬底，所述边坡衬底具有顶表面、底表面以及连接所述顶表面和底表面的边坡面；在所述边坡衬底上由下到上形成多层层叠的复合层，各层复合层包括绝缘层和位于绝缘层表面的牺牲层；形成覆盖所述复合层的第一介质层；平坦化所述第一介质层和复合层直至暴露出所述顶表面，且使位于边坡面上方复合层的顶部表面和所述顶表面齐平；去除所述牺牲层，形成开口；在所述开口中形成控制栅。所述方法使工艺简化，成本降低。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；刻蚀半导体衬底，形成边坡衬底，所述边坡衬底具有顶表面、底表面以及连接所述顶表面和底表面的边坡面；在所述边坡衬底上由下到上形成多层层叠的复合层，各层复合层包括绝缘层和位于绝缘层表面的牺牲层；形成覆盖所述复合层的第一介质层；平坦化所述第一介质层和复合层直至暴露出所述顶表面，且使位于边坡面上方复合层的顶部表面和所述顶表面齐平；去除所述牺牲层，形成开口；在所述开口中形成控制栅。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610206310.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
