[发明专利]利用双材料微悬臂实现连续变化纳米间隙的芯片及制备方法

摘要

本发明公开了一种利用双材料的微悬臂梁受热偏转的特性实现温度控制电极间距连续变化的裂结芯片。本发明属于一种新型的温控裂结芯片，可运用于单分子电子领域以及传感器领域。利用双材料微悬臂上下两层不同材料对于温度具有不同的热膨胀系数，温度变化时双材料片自由端受热发生偏转，会偏向于形变小的一侧，利用这微小的形变操纵两电极间的距离，从而实现单分子结的构筑，进而实现对单分子结特性的研究，为单分子器件的研制提供有价值的参考。

主权项

一种利用双材料微悬臂实现连续变化纳米间隙的芯片，其特征在于，该芯片依次包括二氧化硅基底(1)、绝缘层(5)、左侧金薄膜层(3)、右侧金薄膜层(8)，氮化硅薄膜层(6)和纳米间隙(10)；所述二氧化硅基底(1)，用于作为衬底和牺牲层，在其上形成各种薄膜，最后被刻蚀形成凹陷结构；所述左侧金薄膜层(3)和右侧金薄膜层(8)分别位于左侧二氧化硅基底(1)上和右侧氮化硅薄膜层(6)上，分别用于担当两侧的电极；所述绝缘层(5)位于右侧二氧化硅基底(1)上和氮化硅薄膜层(6)下，用于隔离两侧的电极，并使两侧的电极之间形成纳米间隙(10)；所述氮化硅薄膜层(6)位于右侧绝缘层(5)上，与右侧金薄膜层(8)形成右侧双材料微悬臂电极，并响应温度造成纳米间隙(10)大小变化；所述纳米间隙(10)，用于构筑分子结。