[发明专利]硅晶片脱胶工艺在审
| 申请号： | 201610200158.2 | 申请日： | 2016-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN105855213A | 公开（公告）日： | 2016-08-17 |
| 发明（设计）人： | 白青松;张力峰;田利中;邹文龙;梁会宁 | 申请（专利权）人： | 苏州晶樱光电科技有限公司 |
| 主分类号： | B08B3/02 | 分类号： | B08B3/02;B08B3/12;B08B3/10;C09J4/02;C09J4/06;C09J11/04;C09J11/06 |
| 代理公司： | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人： | 汤东凤 |
| 地址： | 215614 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种同一晶托上的胶体一起脱落的硅晶片脱胶工艺，采用如下脱胶机，该脱胶机包括一号槽、二号槽、三号槽、四号槽、五号槽和六号槽，一号槽和二号槽的水温是25～30℃，三号槽和四号槽的水温是30℃，五号槽里的是乳酸溶液且温度为65～70℃，乳酸与水的质量比是1∶1.5，六号槽的水温40～45℃，硅晶片先在一号槽和二号槽内分别喷淋550s，然后将硅晶片放到三号槽和四号槽中分别超声处理90s，之后将硅晶片放入五号槽中浸泡450s～500s，最后将硅晶片放入六号槽浸泡50s后取出。本发明的优点是：乳酸的软化胶体就能保证所有硅晶片上的胶体一起脱落，从而避免在脱胶的过程中部分硅晶片氧化。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 脱胶 工艺 | ||
【主权项】：
硅晶片脱胶工艺，其特征在于：车间温度25±3℃，湿度30～60％，采用如下脱胶机，该脱胶机包括一号槽、二号槽、三号槽、四号槽、五号槽和六号槽，一号槽和二号槽的水温是25～30℃，三号槽和四号槽的水温是30℃，五号槽里的是乳酸溶液且温度为65～70℃，乳酸与水的质量比是1：1.5，六号槽的水温40～45℃，硅晶片先在一号槽和二号槽内分别喷淋550s，喷淋时，硅晶片两侧的喷头上下摆动，确保硅晶片上的胶体至硅晶片中部之间的部位都被喷到，然后将硅晶片放到三号槽和四号槽中分别超声处理90s，之后将硅晶片放入五号槽中浸泡450s～500s，最后将硅晶片放入六号槽浸泡50s后取出，其中所述胶体含有如下质量比的组分，改性丙烯酸脂树脂25～30％，甲基丙烯酸羟乙酯35～50％，过氧化氢异丙苯1～5％，邻磺酰苯甲酰亚胺0.1～0.4％，N，N‑二甲基苯胺0.1～0.2％，硅微粉30～40％。
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