[发明专利]陶瓷头离子源长寿命中子管

摘要

本发明属于中子源技术领域，具体涉及一种可关断、小型化的长寿命中子管。本发明用陶瓷头取代铜头，在陶瓷头上焊接离子源阴极和金属电极，在金属电极上焊接阳极筒，组装成中子管用陶瓷头离子源。在阳极筒和离子源罩之间填充离子源陶瓷绝缘环，在离子源罩和加速筒之间填充加速间隙陶瓷绝缘环，增加了绝缘强度，降低了封接难度，保证同轴度。大幅度降低放电、击穿几率，易小型化，提高了中子管的产额、寿命、稳定性及脉冲特性，成品率有很大提高，中子管技术参数的一致性好，寿命长，具备了产业化的条件。改进后寿命提高2—3倍，产额提高约3倍，稳定性不大于2％，脉冲上升沿小于2.5us，脉冲下降沿小于0.5us，成品率高于90％。

主权项

陶瓷头离子源长寿命中子管，是圆形轴对称结构，它把陶瓷离子源、加速系统、靶和气压调节系统全部密封在一支陶瓷管内，构成一只结构简单紧凑的电真空器件，其特征是：用陶瓷头取代易变形、易氧化的铜头, 陶瓷头和阳极筒、离子源罩、离子源陶瓷绝缘环、上面罩共同构成中子管用陶瓷头离子源。