[发明专利]一种低噪声放大器有效
| 申请号： | 201610192381.7 | 申请日： | 2016-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN105897184B | 公开（公告）日： | 2018-08-14 |
| 发明（设计）人： | 张科峰;刘览琦 | 申请（专利权）人： | 武汉芯泰科技有限公司 |
| 主分类号： | H03F1/26 | 分类号： | H03F1/26;H03F1/56;H03F3/24;H03G3/30 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖开发区关东工业园东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种低噪声放大器，包括：匹配放大级电路，包括第一晶体管、第二晶体管、第一输出节点及第二输出节点；第一晶体管的源级耦合至天线阻抗，其漏极耦合至第一输出节点；第二晶体管的栅极耦合至第一晶体管的源级，其漏极耦合至第二输出节点；增益提升级电路，包括第一对晶体管及耦合至第一对晶体管的第二对晶体管；第一对晶体管分别耦合至第一输出节点及第二输出节点。该发明的有益效果为：实现宽带阻抗匹配的同时确保了第一级噪声的最小化，从而提升整体LNA的噪声性能，实现差分端的输出阻抗平衡，消除了增益提升带来的非线性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低噪声放大器 | ||
【主权项】：
1.一种低噪声放大器，其特征在于，包括：匹配放大级电路，包括输入节点、第一晶体管、第二晶体管、第一输出节点及第二输出节点；所述第一晶体管的源级耦合至所述输入节点，其漏极耦合至所述第一输出节点，以将所述输入节点处的噪声电流转换为所述第一输出节点的第一噪声电压；所述第二晶体管的栅极耦合至所述第一晶体管的源级，其漏极耦合至所述第二输出节点，以将所述输入节点处的噪声电流转换为所述第二输出节点的第二噪声电压；通过所述第二噪声电压与所述第一噪声电压求和以消去第一晶体管的噪声；以及增益提升级电路，包括第一对晶体管及耦合至所述第一对晶体管的第二对晶体管；所述第一对晶体管分别耦合至所述第一输出节点及所述第二输出节点，通过设定所述第一对晶体管与所述第二对晶体管的电流极性以抑制所述第二晶体管的噪声；所述第一对晶体管包括：第三晶体管，其栅极耦合至所述第一输出节点；以及第四晶体管，其栅极耦合至所述第二输出节点；所述第二对晶体管包括：第五晶体管，其栅极耦合至所述第三晶体管的栅极，所述第五晶体管的跨导的二阶导数与所述第三晶体管的跨导的二阶导数符号相反；以及第六晶体管，其栅极耦合至所述第四晶体管的栅极，所述第六晶体管的跨导的二阶导数与所述第四晶体管的跨导的二阶导数符号相反；所述增益提升级电路还包括第一电容及第二电容；所述第一电容耦合至所述第三晶体管的栅极与所述第五晶体管的栅极之间，所述第二电容耦合至所述第四晶体管的栅极与所述第六晶体管的栅极之间；所述增益提升级电路还包括第一电阻及第二电阻；所述第一电阻耦合至所述第三晶体管的漏极，所述第二电阻耦合至所述第四晶体管的漏极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉芯泰科技有限公司，未经武汉芯泰科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610192381.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
