[发明专利]具有倾斜约束环的等离子体处理系统和结构

摘要

本发明涉及具有倾斜约束环的等离子体处理系统和结构。一种等离子体室包括基座、上部电极、以及环形构件。所述基座具有支撑晶片的中心区域和外接中心区域的台阶区域。倾斜区域外接台阶区域，倾斜区域具有从所述台阶区域向下倾斜的顶表面，使得所述顶表面的内边界和所述中心区域之间的垂直距离小于所述顶表面的外边界和所述中心区域之间的垂直距离。所述上部电极被耦合到射频电源。所述环形构件的内周边被限定成当所述环形构件被设置在所述基座上时围绕所述基座的中心区域，并且所述环形构件的一部分具有随所述环形构件的半径增大而增大的厚度。

主权项

一种等离子体室，其包括：基座，其被配置成在处理过程中支撑半导体晶片，所述基座具有形成为支撑所述半导体晶片的中心区域，所述中心区域具有基本上平坦的顶表面，所述基座具有形成为外接所述中心区域的台阶区域，所述台阶区域具有在低于所述中心区域的所述顶表面的位置处形成的顶表面，所述基座具有形成为外接所述台阶区域的倾斜区域，所述倾斜区域具有在内边界和外边界之间延伸的顶表面，所述倾斜区域的所述顶表面形成为从所述台阶区域向下倾斜，使得所述倾斜区域的所述顶表面的内边界和所述中心区域之间的垂直距离小于所述倾斜区域的所述顶表面的外边界和所述中心区域之间的垂直距离，所述垂直距离沿垂直于所述中心区域的所述顶表面的方向测得，所述基座电连接到基准接地电位；布置在所述基座上的上部电极，所述上部电极与喷头成为整体，所述喷头用于在处理期间输送沉积气体到所述等离子体室内，所述上部电极被耦合到射频(RF)电源，所述RF电源能操作来点燃在所述基座和所述上部电极之间的等离子体，以在处理期间促进在所述半导体晶片上的材料层的沉积；以及被配置成设置在所述基座上的环形构件，所述环形构件的内周边被限定成当所述环形构件被设置在所述基座上时围绕所述基座的所述中心区域，并且所述环形构件的一部分具有随所述环形构件的半径增大而增大的厚度。