[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括形成在存储器单元区中的半导体衬底的主表面之上的控制栅电极和存储器栅电极，和形成在分流区中的半导体衬底的主表面之上的第一电极和第二电极。第一电极与控制栅电极形成一体，第二电极与存储器栅电极形成一体。第二电极包括沿第一电极的侧壁形成的第一部分，和沿半导体衬底的主表面延伸的第二部分。另外，相对于半导体衬底的主表面，第一电极的上表面的高度与第二电极的第一部分的上表面的高度一般是相同的。

主权项

一种半导体器件，包括：半导体衬底，在所述半导体衬底的主表面中，所述半导体衬底包括存储器单元区和分流区，所述分流区在主表面的第一方向上与所述存储器单元区相邻；存储器单元，所述存储器单元形成在所述存储器单元区中，所述存储器单元包括第一栅电极、第二栅电极、以及第一源极区和第一漏极区，所述第一栅电极经由第一栅极绝缘膜形成在所述半导体衬底的主表面之上并且在所述第一方向上延伸，所述第二栅电极与所述第一栅电极相邻并且经由第二栅极绝缘膜形成在所述半导体衬底的主表面之上，所述第一源极区和所述第一漏极区形成在所述半导体衬底的主表面中，以便夹着所述第一栅电极和所述第二栅电极；第一电极，所述第一电极位于所述分流区中并且与所述第一栅电极一体形成；第二电极，所述第二电极位于所述分流区中，与所述第二栅电极一体形成，并且包括沿所述第一栅电极的侧壁形成的第一部分和从所述第一部分沿所述半导体衬底的主表面延伸的第二部分；第一绝缘膜，所述第一绝缘膜覆盖所述第一栅电极、所述第二栅电极、所述第一电极和所述第二电极；与所述第一漏极区耦合的导电的第一插塞和与所述第二电极耦合的导电的第二插塞，所述第一插塞和所述第二插塞形成在所述第一绝缘膜中；以及与所述第一插塞耦合的第一金属布线和与所述第二插塞耦合的第二金属布线，所述第一金属布线和所述第二金属布线位于所述第一绝缘膜之上，其中，在平面图中，所述第二电极位于所述第一电极的外侧，并且其中，所述第一电极的上表面相对于所述半导体衬底的主表面的高度，与所述第二电极的所述第一部分的上表面相对于所述半导体衬底的主表面的高度相同。