[发明专利]薄板的分离方法有效
申请号: | 201610190979.2 | 申请日: | 2016-03-30 |
公开(公告)号: | CN106057737B | 公开(公告)日: | 2021-06-29 |
发明(设计)人: | 平田和也 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;于靖帅 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供薄板的分离方法。SiC基板具有:第一面和位于该第一面的相反侧的第二面;从该第一面至该第二面的c轴;以及与该c轴垂直的c面,所述薄板的分离方法将在SiC基板的该第一面上通过外延生长而层叠的薄板从SiC基板分离,具有如下的步骤:分离起点形成步骤,从该第二面将对于SiC基板具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在SiC基板的该第一面附近,并且使该聚光点与SiC基板相对地移动而对该第二面照射该激光束,形成与该第一面平行的改质层和从该改质层沿着c面伸长的裂痕而形成分离起点;以及分离步骤,在实施了该分离起点形成步骤之后,施加外力而从该分离起点起将该薄板从SiC基板分离。 | ||
搜索关键词: | 薄板 分离 方法 | ||
【主权项】:
一种薄板的分离方法,从SiC基板分离出薄板,该SiC基板具有:第一面和位于该第一面的相反侧的第二面;从该第一面至该第二面的c轴;以及与该c轴垂直的c面,所述薄板的分离方法将在SiC基板的该第一面上通过外延生长而层叠的薄板从SiC基板分离,其特征在于,所述薄板的分离方法具有如下的步骤:分离起点形成步骤,从该第二面将对于SiC基板具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在SiC基板的该第一面附近,并且使该聚光点与SiC基板相对地移动而对该第二面照射该激光束,形成与该第一面平行的改质层和从该改质层沿着c面伸长的裂痕而形成分离起点;以及分离步骤,在实施了该分离起点形成步骤之后,施加外力而从该分离起点起将该薄板从SiC基板分离,该分离起点形成步骤包含如下的步骤:改质层形成步骤,该c轴相对于该第二面的垂线倾斜偏离角,使激光束的聚光点沿着与在该第二面和该c面之间形成偏离角的第二方向垂直的第一方向移动而形成在第一方向上延伸的直线状的改质层;以及转位步骤,在该第二方向上相对地移动该聚光点而转位规定的量。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社迪思科,未经株式会社迪思科许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610190979.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造