[发明专利]一种尖晶石型四方相CuFe2O4铁磁性薄膜及其制备方法

摘要

本发明提供了一种尖晶石型四方相CuFe2O4铁磁性薄膜及其制备方法，将硝酸铜和硝酸铁按摩尔比为12溶于乙二醇甲醚和醋酸酐中，搅拌得到均匀的CuFe2O4前驱液，用旋涂法和逐层退火的工艺在基片上制备出致密度高、晶粒尺寸均匀的尖晶石型四方相CuFe2O4铁磁性薄膜。本发明采用溶胶凝胶工艺，设备要求简单，适宜在大的表面和形状不规则的表面上制备薄膜，且化学组分精确可控。本发明制得的尖晶石型四方相CuFe2O4铁磁性薄膜的饱和磁化强度Ms＝110emu/cm3，剩余磁化强度Mr＝71emu/cm3，矫顽Hc＝810Oe。

主权项

一种尖晶石型四方相CuFe2O4铁磁性薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：将硝酸铜和硝酸铁按摩尔比为1:2溶于乙二醇甲醚中，搅拌均匀后再加入醋酸酐，得到CuFe2O4前驱液；所述CuFe2O4前驱液中乙二醇甲醚和醋酸酐的体积比为(3.5～4.5):1，CuFe2O4前驱液中Fe离子的浓度为0.3～0.5mol/L；步骤2：采用旋涂法在基片上旋涂CuFe2O4前驱液，得CuFe2O4湿膜，CuFe2O4湿膜经匀胶后在250～300℃下烘烤10～15min得干膜，再于600～750℃下在空气中退火25～30min，得到晶态CuFe2O4薄膜；所述基片为FTO/玻璃基片、Si基片、SrTiO3单晶基片或LaNiO3单晶基片；步骤3：待晶态CuFe2O4薄膜冷却后，在晶态CuFe2O4薄膜上重复步骤2，直至达到所需厚度，得到尖晶石型四方相CuFe2O4铁磁性薄膜。