[发明专利]湿法剥离含硅有机层的方法在审
| 申请号： | 201610184461.8 | 申请日： | 2016-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN106024620A | 公开（公告）日： | 2016-10-12 |
| 发明（设计）人： | 杰弗里·M·劳尔哈斯;安东尼·S·拉特科维奇;埃里克·R·贝格;杰弗里·W·布特鲍;罗伯特·托马斯·约翰·马茨;大卫·德克拉克 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创FSI公司 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡胜有;苏虹 |
| 地址： | 美国明*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 描述了一种用于从微电子工件剥离材料的方法。该方法包括：接收具有露出由硅和有机材料构成的层的表面的工件；以及将工件放置在湿法清洗室中。在湿法清洗室中，通过将工件的表面暴露于含硫酸组合物的第一剥离剂，然后任选地将工件的表面暴露于含稀氢氟酸(dHF)的第二剥离剂以从工件去除由硅和有机材料构成的层。 | ||
| 搜索关键词： | 湿法 剥离 有机 方法 | ||
【主权项】：
一种用于从微电子工件剥离材料的方法，包括：接收具有露出由硅和有机材料构成的层的表面的工件；将所述工件放置在湿法清洗室中；以及通过操作所述湿法清洗室以执行以下步骤来将所述由硅和有机材料构成的层从所述工件完全去除：将所述工件的所述表面暴露于含硫酸组合物的第一剥离剂中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
