[发明专利]一种半导体光放大器装置和操作方法有效

专利信息
申请号: 201610183621.7 申请日: 2016-03-28
公开(公告)号: CN107238992B 公开(公告)日: 2021-05-25
发明(设计)人: 孙晓;高震森 申请(专利权)人: 上海诺基亚贝尔股份有限公司
主分类号: G02F1/39 分类号: G02F1/39
代理公司: 北京启坤知识产权代理有限公司 11655 代理人: 赵晶
地址: 201206 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明的目的是提供一种半导体光放大器(SOA)装置和操作SOA装置的方法。根据本发明的半导体光放大器(SOA)装置,包括:光检测装置,用于测量输入到所述半导体光放大器的光信号的功率;控制装置,用于基于所述光检测器所测量的功率将多路电流分别注入到各个驱动电极;半导体光放大器,具有上层半导体衬底和下层半导体衬底,所述上层半导体衬底和下层半导体衬底中间具有半导体波导层,并且有多个驱动电极位于所述上层半导体衬底的表面上,所述多个驱动电极沿着光放大器波导层中的光传播方向延伸。本发明具有以下优点:与一般的具有一个电极的SOA装置相比,根据本发明的方案能够提高SOA的线性增益且增加SOA的线性放大区间,从而在更大的接收功率范围内进行无误码的信号放大,进一步避免信号传输的失真。
搜索关键词: 一种 半导体 放大器 装置 操作方法
【主权项】:
一种半导体光放大器(SOA)装置,包括:光检测装置,用于测量输入到所述半导体光放大器的光信号的功率;控制装置,用于基于所述光检测器所测量的功率将多路电流分别注入到各个驱动电极;半导体光放大器,具有上层半导体衬底和下层半导体衬底,所述上层半导体衬底和下层半导体衬底中间具有半导体波导层,并且有多个驱动电极位于所述上层半导体衬底的表面上,所述多个驱动电极沿着光放大器波导层中的光传播方向延伸。
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