[发明专利]一种非线性自整流阻变存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 201610183126.6 | 申请日： | 2016-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN105870321B | 公开（公告）日： | 2019-03-08 |
| 发明（设计）人： | 蔡一茂;王宗巍;黄如;喻志臻;方亦陈;余牧溪;杨雪 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 | 代理人： | 俞达成 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种非线性自整流阻变存储器，包括衬底和位于衬底上的底电极‑阻变层‑能带修饰层‑顶电极结构。本发明还提供一种非线性自整流阻变存储器的制备方法，包括如下步骤：1)定义底电极图形，按照该图形在衬底上制备底电极；2)采用PVD、ALD或CVD的方法在底电极上淀积阻变层；3)采用PVD或ALD的方法在阻变层上淀积能带修饰层；4)定义底电极引出孔图形，按照该图形在阻变层和能带修饰层刻蚀出底电极引出孔；5)定义顶电极图形，按照该图形在修饰层上制备顶电极。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 非线性 整流 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种非线性自整流阻变存储器，其特征在于，包括衬底和位于衬底上的底电极‑阻变层‑能带修饰层‑顶电极结构；所述能带修饰层的材料的禁带宽度和导带底均大于所述阻变层的材料的禁带宽度和导带底；所述能带修饰层的厚度为1‑20nm。
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