[发明专利]高发光效率InGaN基多量子阱外延片及其制备方法有效
| 申请号： | 201610183107.3 | 申请日： | 2016-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN105789393B | 公开（公告）日： | 2018-06-19 |
| 发明（设计）人： | 赵德刚;杨静 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种高发光效率InGaN基多量子阱外延片，包括：一蓝宝石衬底；一低温成核层，其制作在蓝宝石衬底上；一高温非掺杂GaN层，其制作在低温成核层上；一高温n型GaN层，其制作在高温非掺杂GaN层上；一表面修复层，其制作在高温n型GaN层上；一多量子阱发光层结构，其制作在表面修复层上；一p型GaN层，其制作在多量子阱发光层结构上。本发明是通过插入一层GaN表面修复层，并优化表面修复层的生长参数，修复降温过程中由于GaN分解引起的表面损伤，使量子阱生长在光滑的GaN表面上，提高量子阱的界面质量，减少多量子阱区的缺陷密度。 1 | ||
| 搜索关键词： | 表面修复 制作 量子阱 高温非掺杂GaN层 多量子阱发光层 低温成核层 高发光效率 蓝宝石 外延片 衬底 量子阱生长 表面损伤 多量子阱 降温过程 生长参数 光滑 制备 分解 修复 优化 | ||
【主权项】：
1.一种高发光效率InGaN基多量子阱外延片，包括：一蓝宝石衬底；一低温成核层，其制作在蓝宝石衬底上；一高温非掺杂GaN层，其制作在低温成核层上；一高温n型GaN层，其制作在高温非掺杂GaN层上；一表面修复层，其制作在高温n型GaN层上；一多量子阱发光层结构，其制作在表面修复层上；一p型GaN层，其制作在多量子阱发光层结构上；所述表面修复层由单层GaN或者生长温度不同的多层GaN组成，其生长温度为800‑950℃，厚度为5‑20nm；所述多量子阱发光层结构的材料为InGaN/GaN，其包括InGaN阱层和GaN垒层，InGaN阱层与GaN垒层的生长温度相同，为700‑800℃。
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