[发明专利]半导体器件制造方法有效
申请号: | 201610182732.6 | 申请日: | 2016-03-28 |
公开(公告)号: | CN106024653B | 公开(公告)日: | 2020-09-25 |
发明(设计)人: | 冲嶋和彦 | 申请(专利权)人: | 瑞萨电子株式会社 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 李辉 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 在半导体器件的组装中的导线键合中,通过作为键合工具的楔形件将Al线耦合到引线区段,之后,将楔形件从引线区段的顶部退出,并且刀具被降下并使Al线在这种状态下被切断。在随着刀具的降下而同时降下的止挡件已撞击引线区段这一时间点停止刀具的降下,并且通过刀具降下的停止而终止Al线的切割。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体器件制造方法,包括以下步骤:(a)准备引线框架,所述引线框架包括芯片安装区段和围绕所述芯片安装区段布置的多个引线区段;(b)在步骤(a)之后,将包括多个电极焊盘的半导体芯片安装在所述引线框架的所述芯片安装区段上;以及(c)在步骤(b)之后,通过多个Al线将所述半导体芯片的所述电极焊盘与所述引线区段分别地电耦合在一起,其中步骤(c)包括以下步骤(c1)通过作为键合工具的楔形件将所述半导体芯片的每个电极焊盘与每个Al线电耦合在一起,(c2)在步骤(c1)之后,通过所述楔形件将所述Al线压向所述引线区段,并且从而将所述Al线与所述引线区段电耦合在一起,以及(c3)在步骤(c2)之后,降下刀具构件,并且在使所述楔形件从所述引线区段的顶部退出的状态下通过所述刀具构件切割所述Al线,并且在随着所述刀具构件的降下而降下的止挡构件已撞击所述引线区段这一时间点终止通过所述刀具构件对所述Al线的切割。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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