[发明专利]一种消除铝电极晶体缺陷的制造工艺

摘要

本发明涉及一种消除铝电极晶体缺陷的制造工艺，包括在铝电极表面形成氧化物层；在所述铝电极表面覆盖一层掩盖层，且所述掩盖层覆盖在所述氧化物层上，其中所述掩盖层上预设有所需图案形状的开口；对表面覆盖有所述掩盖层的铝电极进行曝光，将所述氧化物层从所述开口露出的部分分解，直至露出所需图案形状的铝电极,并移除掩盖层；将第一活性气体等离子处理，并从开口处通入至所述预设图案形状的铝电极表面形成防潮保护层。本发明的一种消除铝电极晶体缺陷的制造工艺，利用光照将铝电极表面的氧化物分解，避免引入含有氟元素的高分子化合物，进而从源头上消除晶体缺陷的形成，提高了铝电极的质量，优化了现有技术中铝电极的制造工艺。

主权项

1.一种消除铝电极晶体缺陷的制造工艺，其特征在于,包括如下步骤：步骤1：在铝电极表面形成氧化物层，所述氧化物层为硅氧化物；步骤2：在所述铝电极表面覆盖一层掩盖层，且所述掩盖层覆盖在所述氧化物层上，其中所述掩盖层上预设有所需图案形状的开口；步骤3：采用UV光对表面覆盖有所述掩盖层的铝电极进行曝光，并将所述氧化物层从所述开口露出的部分分解，待完全露出所需图案形状的铝电极后，将UV光移走，再移除所述掩盖层；步骤4：将第一活性气体等离子处理，并从所述开口处通入至所述预设图案形状的铝电极表面，形成防潮保护层。