[发明专利]显示设备以及制造显示设备的设备和方法有效
申请号: | 201610178367.1 | 申请日: | 2016-03-25 |
公开(公告)号: | CN106024828B | 公开(公告)日: | 2021-08-06 |
发明(设计)人: | 金善姝;宋泳録;宋正培 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77;H01L21/67 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 王达佐;刘铮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 公开了一种显示设备以及制造显示设备的设备和方法。制造显示设备的方法包括:为了形成待设置于两个电极之间的中间层而提供基底,基底包括多个区域,所述多个区域包括第一区域和第二区域;以及测量第一区域和第二区域的反射率。测量的第一区域的反射率不同于测量的第二区域的反射率。方法进一步包括:将基底放置在沉积腔室中,与设置在沉积腔室中的沉积单元间隔开;在第一区域中的像素电极中的第一像素电极上方形成第一中间层;相对于沉积单元移动基底;以及在第二区域中的像素电极中的第二像素电极上方形成第二中间层,其中,第一中间层具有第一厚度,并且第二中间层具有不同于第一厚度的第二厚度。 | ||
搜索关键词: | 显示 设备 以及 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种显示设备,包括:基底,包括:衬底,多个像素电极,形成于所述衬底上方,以及像素限定层,形成于所述多个像素电极上方;以及中间层,形成于所述基底的所述多个像素电极中的每一个的上方,其中,所述基底被划分为多个区域,所述多个区域包括第一区域和第二区域,其中,形成于所述基底的所述第一区域上方的所述中间层具有第一厚度,并且形成于所述基底的所述第二区域上方的所述中间层具有不同于所述第一厚度的第二厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的